9月20日 ，在2026世界制造业大会上 ，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。
据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米 ，存储器电容深宽比45：1 ，核心动能区高度降至6762纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升 ，同等条件下 ，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上 。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产 ，全面进入国产主流旗舰手机 。
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